申请/专利权人：四川云盾光电科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117800279A

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00;G01L1/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请公开了一种MEMS压敏芯片及其制备方法，芯片包括从上至下依次布置的第一至第六基底，第一基底保护芯片的顶部，第二基底通过金属互联引线与压阻器的欧姆接触区进行电学导通构成惠斯通电桥压阻电路，两组压敏电阻条基于MEMS压敏芯片的中心对称排布于半岛‑弧边梁结构中半岛区域上的应力集中区域内，第五基底的上表面与感压膜结构相连，设置于第五基底中间的孔岛结构的下方及四周均为空腔结构，支撑表框设置于第五基底的四周，支撑表框的上方连接感压膜结构，支撑表框的下方连接第六基底的玻璃基座，第六基底通过贴片胶与外壳固定。通过惠斯通电桥的敏感电阻将压力信号转换为电压信号实现对压力的测量。

主权项：1.一种MEMS压敏芯片，其特征在于，所述芯片包括从上至下依次布置的第一基底、第二基底、第三基底、第四基底、第五基底以及第六基底，所述第三基底包括压阻器以及半岛-弧边梁结构，压阻器由压敏电阻条和欧姆接触区构成，所述第四基底包括感压膜结构；所述第一基底为钝化保护层，用于保护所述芯片的顶部；所述第二基底为金属层，通过金属互联引线与压阻器的欧姆接触区进行电学导通构成惠斯通电桥压阻电路；设置所述半岛-弧边梁结构的上表面为两组压敏电阻条，两组压敏电阻条基于MEMS压敏芯片的中心对称排布于半岛-弧边梁结构中半岛区域上的应力集中区域内；所述第五基底的上表面与感压膜结构相连，设置于第五基底中间的孔岛结构的下方及四周均为空腔结构，支撑表框设置于所述第五基底的四周，所述支撑表框的上方连接感压膜结构，所述支撑表框的下方连接第六基底的玻璃基座；所述第六基底通过贴片胶与外壳固定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川云盾光电科技有限公司 一种MEMS压敏芯片及其制备方法

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