申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810337A

主分类号：H01L33/32

分类号：H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替层叠形成的周期性结构；所述量子垒层包括依次层叠的Si3N4层、电场屏蔽层和InGaN层；所述电场屏蔽层为周期性结构，周期数为1～10，每个周期均包括依次层叠的本征GaN层和C、Si共掺AlN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。

主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替层叠形成的周期性结构；所述量子垒层包括依次层叠的Si3N4层、电场屏蔽层和InGaN层；所述电场屏蔽层为周期性结构，周期数为1～10，每个周期均包括依次层叠的本征GaN层和C、Si共掺AlN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

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