申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810169A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;H01L21/764;H01L21/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种芯片制备方法，涉及半导体加工的技术领域，背面电极的蒸镀是在整个晶圆未被切断以前完成，因此，晶圆能够通过晶圆夹具被放置在蒸镀腔的行星架上，进行正常的热蒸发镀膜或者电子束蒸发镀膜，而无需利用黏附胶，也就不会导致UV膜在蒸镀背面电极后不易从晶圆夹具上取下，且每次蒸镀背面电极后，黏附胶因高温失效需清洗重新涂敷的问题的产生了。

主权项：1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括：步骤S1.提供一晶圆1，所述晶圆1上制备有一功率器件阵列，所述功率器件阵列中的每个功率器件包括一暴露于所述晶圆1正面的正面电极2，相邻两个所述正面电极2通过一第一间隙分隔；步骤S2.于所述晶圆1背面形成对应所述功率器件位置的凹槽16；步骤S3.于所述凹槽16中形成对应所述功率器件的背面电极6；步骤S4.刻蚀所述背面电极6，使所述背面电极6与所述槽壁间形成间隙；步骤S5.垂直于所述晶圆1正面的方向，于所述第一间隙处形成V形沟槽5；步骤S6.于所述晶圆1背面对应所述V形沟槽5底部的位置进行刻蚀，以分离所述功率器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 芯片制备方法

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