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【发明授权】绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司_201910718548.2 

申请/专利权人:广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司

申请日:2019-08-05

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN112331715B

主分类号:H01L29/739

分类号:H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开

摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,所述绝缘栅双极型晶体管包括:均位于同一预定平面内的发射极区、体区、漂移区和集电极区;所述体区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区及漂移区接触;所述漂移区,位于体区与集电极区之间,且与集电极区接触;至少一个抑制单元,位于漂移区中,包括开口朝向所述发射极区的凹面,用于抑制注入漂移区中的至少部分载流子向集电极区运动;其中,所述载流子从发射极区注入漂移区,被抑制的所述载流子聚集在抑制单元表面。

主权项:1.一种绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,包括:均位于同一预定平面内的发射极区、体区、漂移区和集电极区;所述体区,位于所述发射极区与所述漂移区之间,且与所述发射极区及所述漂移区接触;所述漂移区,位于所述体区与所述集电极区之间,且与所述集电极区接触;至少一个抑制单元,位于所述漂移区中,包括开口朝向所述发射极区的凹面,用于抑制注入漂移区中的至少部分载流子向所述集电极区运动;其中,所述载流子从所述发射极区注入所述漂移区,被抑制的所述载流子聚集在所述抑制单元表面;所述抑制单元,包括位于所述漂移区中的凹槽及填充在所述凹槽内的绝缘介质。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

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