申请/专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社

申请日：2018-12-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111512455B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H01F10/32;H01L27/105;H10B61/00;G01B7/00;G01R33/09;H01F10/12

优先权：["20171226 JP 2017-249084"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开

摘要：即使在高温环境、高磁场环境等中，也能够适当地动作的隧道磁阻效应TMR元件11，具备具有固定磁性层3的至少一部分即第1强磁性层31和在第1强磁性层31层叠的反强磁性层2的交换耦合膜10，反强磁性层2具备XCr‑Mn层，该XCr‑Mn层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上元素X、以及Mn及C，XCr‑Mn层具有：距第1强磁性层31相对较近的第1区域R1、和距第1强磁性层31相对较远的第2区域R2，第1区域R1中的Mn含有量高于第2区域R2中的Mn含有量。

主权项：1.一种隧道磁阻效应元件，具有含有强磁性层的固定磁性层以及自由磁性层隔着绝缘障壁层被层叠的构造，该隧道磁阻效应元件的特征在于，所述强磁性层和在所述强磁性层层叠的反强磁性层构成交换耦合膜，所述反强磁性层具备XCr-Mn层，该XCr-Mn层通过合金形成，所述合金由从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素X与Mn及Cr构成，所述XCr-Mn层具有：距所述强磁性层相对较近的第1区域、和距所述强磁性层相对较远的第2区域，所述第1区域中的Mn含有量高于所述第2区域中的Mn含有量，在所述交换耦合膜中，在422℃下测定的交换耦合磁场除以在22℃下测定的交换耦合磁场而得到的标准化交换耦合磁场为0.34以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿尔卑斯阿尔派株式会社 隧道磁阻效应膜以及使用其的磁装置

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