申请/专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116852183B

主分类号：B24B1/00

分类号：B24B1/00;B24B7/22;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B49/00;B24B49/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.10.27#实质审查的生效;2023.10.10#公开

摘要：本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：1使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mLmin；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；2使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mLmin；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。

主权项：1.一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，其特征在于，包括以下步骤：1使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％-38％、研磨剂1.5％-2.8％，其余为水；A磨砂中主要成分Al2O3的含量≥99.8％；研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mLmin；研磨压力为600-1500kg；研磨转速为25-50rpm，转速比为0.3-0.6；2使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％-36％、研磨剂2.2％-3.8％，其余为水；B磨砂的成分组成主要包括：52.1％的Al2O3、30.6％的ZrO2、15.9％的SiO2和1.2％TiO2；研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mLmin；研磨压力为600-1500kg；研磨转速为25-50rpm，转速比为0.3-0.6。

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