申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-05-10

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN110473770B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/311

优先权：["20180511 US 62/670,459","20180614 US 62/684,878"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2019.11.19#公开

摘要：在一个示例性实施方案中，本文中描述了一种用于蚀刻氧化物的ALE处理。在一个实施方案中，氧化物是硅氧化物。ALE改性步骤包括基于四氟化碳CF4的等离子体的使用。该改性步骤优先从硅氧化物的表面去除氧，从而提供富硅表面。ALE去除步骤包括基于氢H2的等离子体的使用。该去除步骤去除在改性步骤中形成的富硅单层。利用CF4和H2步骤的硅氧化物蚀刻ALE处理可以用于广泛范围的基底处理步骤。例如，ALE处理可以用于但不限于自对准接触蚀刻步骤、硅鳍片露出步骤、氧化物芯模抽除步骤、氧化物间隔物修整以及氧化物衬料蚀刻。

主权项：1.一种用于蚀刻基底的方法，包括：提供包括硅氧化物的第一层，所述第一层相对于第二层可被选择性蚀刻；将所述第一层暴露于包括CF4的第一等离子体以对所述第一层的至少表面进行改性以形成经改性的表面层，与所述第一层的剩余部分相比，所述经改性的表面层富含硅；以及将所述经改性的表面层暴露于包括H2的第二等离子体，所述包括H2的等离子体去除所述经改性的表面层的至少一部分，其中，所述第一等离子体和所述第二等离子体的组合使用减小了所述第一层的厚度的至少一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 氧化物的原子层蚀刻的方法

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