申请/专利权人：国网浙江省电力有限公司舟山供电公司

申请日：2022-04-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114781216B

主分类号：G06F30/23

分类号：G06F30/23;G06F119/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.09.09#专利申请权的转移;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法，包括：建立换流阀电路仿真模型，并设置仿真模型的运行参数；基于电路仿真模型，获得IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，FRD芯片的正向压降和正向电流；根据IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，以及FRD芯片的正向压降和正向电流，分别计算IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗；代入IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗，建立IGBT模块的有限元仿真模型；基于有限元仿真模型，计算得到换流阀IGBT模块温度场分布情况。本发明的方法计算资源占用少，仿真速度快，仿真精度高。

主权项：1.一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，建立换流阀电路仿真模型，并设置仿真模型的运行参数；步骤S2，基于电路仿真模型，获得IGBT芯片的集电极电流ict与集射极电压VCEt，FRD芯片的正向压降vFt和正向电流iFt；步骤S3，根据IGBT芯片的集电极电流ict与集射极电压VCEt，以及FRD芯片的正向压降vFt和正向电流iFt，分别计算IGBT芯片的总损耗以及FRD芯片的总损耗；IGBT芯片的总损耗Ploss_IGBT为：Ploss_IGBT＝PSS+PSW其中，PSS为通态损耗，PSW为开关损耗；所述通态损耗PSS为： 其中，T为载波周期，D1为IGBT芯片的占空比；所述开关损耗PSW为： 其中，ESWon为额定工况下IGBT开通一次损耗的能量；ESWoff为额定工况下IGBT关断一次损耗的能量；ISN为额定的工作电流；IS为集电极电流ict的峰值，UdcN为额定的直流侧电压；Udc为实际的直流侧电压；进一步的，所述FRD芯片的总损耗为：Ploss_FRD＝PDC+Prr其中，PDC为单个反并联二极管通态损耗，Prr为FRD的开关损耗；步骤S4，建立IGBT模块的有限元仿真模型；所述单个反并联二极管通态损耗PDC为： 其中，T为载波周期，D2为FRD芯片的占空比；开关损耗Prr为： 式中：EDiodeoffP为额定工况下FRD关断一次损耗的能量，IS为FRD芯片正向电流iFt的峰值，UdcN为额定的直流侧电压；Udc为实际的直流侧电压；步骤S5，将IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗作为热源代入到有限元仿真模型中；步骤S6，计算得到换流阀IGBT模块温度场分布情况。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国网浙江省电力有限公司舟山供电公司 一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法与系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD