申请/专利权人：阔斯泰公司

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114340896B

主分类号：B32B18/00

分类号：B32B18/00;H05B3/74

优先权：["20190701 US 62/869,388","20190930 US 62/908,441"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：晶片加热器组件包括加热器基底和无孔最外层。加热器基底包括氮化硅Si3N4并且包括嵌入其中的至少一个加热元件。无孔最外层至少与加热器基底的第一表面相关联。无孔最外层包括稀土RE二硅酸盐RE2Si2O7；其中RE为Yb和Y之一。无孔最外层包括暴露的表面，所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热，所述暴露的表面与加热器基底的第一表面相反。还公开了制造晶片加热器组件的方法以及使用晶片加热器组件的方法。

主权项：1.晶片加热器组件，所述组件包括：包括氮化物的加热器基底，所述加热器基底包括嵌入其中的至少一个加热元件，所述加热器基底具有第一表面；和邻近所述加热器基底的第一表面的无孔最外层，所述无孔最外层包括二硅酸镱Yb2Si2O7；其中所述无孔最外层包括暴露的表面和第二表面，其中所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热，并且其中所述第二表面面向所述加热器基底的所述第一表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阔斯泰公司 具有腐蚀保护层的多区氮化硅晶片加热器组件、和制造及使用其的方法

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