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【发明授权】一种MEMS微镜结构_苏州亿波达微系统技术有限公司_202311557836.7 

申请/专利权人:苏州亿波达微系统技术有限公司

申请日:2023-11-22

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117270192B

主分类号:G02B26/08

分类号:G02B26/08;B81B7/02;B81C3/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要:本发明提供一种MEMS微镜结构,其包括:第一晶圆片,第一晶圆片表面间隔布设有多个静梳齿;第二晶圆片,第二晶圆片与第一晶圆片键合,其包括主体部以及设置于主体部两侧的两个连接部,其中,主体部内间隔布设有多个动梳齿和加强筋,连接部一端连接于主体部,另一端远离静梳齿且凸出于主体部;镜面,镜面通过锚柱连接于主体部最外侧的加强筋,其与动梳齿之间存在高度差。本MEMS微镜结构从根本上解决了微镜在较大驱动电压下才能获得较大偏转角度的问题,有效解决了微镜镜面尺寸、动梳齿尺寸与微镜偏转角度之间的矛盾,使得本MEMS微镜可以同时具有驱动电压小、镜面尺寸大、偏转角度大等显著优势。

主权项:1.一种MEMS微镜结构,其特征在于:包括:第一晶圆片,所述第一晶圆片表面间隔布设有多个静梳齿;第二晶圆片,所述第二晶圆片与所述第一晶圆片键合,其包括主体部以及至少两个锚柱,其中,所述主体部包括加强筋以及多个间隔连接于所述加强筋的动梳齿,所述锚柱固连于所述主体部表面且朝向远离所述静梳齿的方向凸出于所述主体部;镜面,所述镜面通过锚柱连接于所述主体部,其与所述动梳齿之间存在高度差;制备所述MEMS微镜结构的方法具体包括如下步骤:S1、在第一SOI片上间隔刻蚀隔离槽及多个静梳齿,得到第一晶圆片;S2、在第二SOI片上刻蚀出微间隙后与第一晶圆片键合;S3、在第二SOI片上刻蚀主体部,使所述主体部包括加强筋以及多个间隔连接于所述加强筋的动梳齿,得到第二晶圆片;S4、在所述第二晶圆片表面沉积牺牲层后刻蚀出通孔,并在所述通孔内制备锚柱,所述镜面与所述锚柱同时制备,且二者材质相同;S5、在所述牺牲层表面制备镜面后去除所述牺牲层,得到所述MEMS微镜结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州亿波达微系统技术有限公司 一种MEMS微镜结构

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