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【实用新型】一种新型面板架构_福建华佳彩有限公司_202322215705.2 

申请/专利权人:福建华佳彩有限公司

申请日:2023-08-17

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN220711945U

主分类号:H10K59/121

分类号:H10K59/121;H10K59/122;H10K59/131;G09F9/33;G09G3/3225

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权

摘要:本实用新型提供一种新型面板架构,包括有显示区和GIP电路,每一行像素均由一级GIP电路驱动,GIP电路设置于显示区的下方;面板的层级结构为:包括有基板,基板的顶部设置有LTPS半导体层,在LTPS半导体层的顶部设置有第一绝缘层,第一绝缘层的顶部设置有第一金属层,第一金属层的顶部设置有绝缘平坦层,绝缘平坦层的顶部设置有第二金属层,第二金属层与LTPS半导体层的漏极连接,第二金属层的顶部设置有第二绝缘层,第二绝缘层的顶部设置有IGZO半导体,IGZO半导体的两侧搭接有第三金属层。本申请通过结合IGZO和LTPS两种面板制程,使得平面上LTPSGIP电路可完全隐藏于面板IGZO像素驱动电路的显示区内,实现面板左右两侧真正的无边框显示,使人眼在视觉上得到更好的观感。

主权项:1.一种新型面板架构,其特征在于:包括有由复数个像素组成的显示区,复数个所述像素排列成N行,所述面板架构还包括N级使用LTPSTFT的GIP电路,每一行所述像素均由一级GIP电路驱动,每一所述像素均包括使用IGZOTFT的驱动电路,所述GIP电路设置于显示区的下方;所述面板的层级结构为:包括有基板,所述基板的顶部设置有用作LTPSTFT源级和漏极的LTPS半导体层,在所述LTPS半导体层的顶部设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层的顶部设置有第一金属层,所述第一金属层的顶部设置有绝缘平坦层,所述绝缘平坦层的顶部设置有用作IGZOTFT栅极的第二金属层,所述第二金属层穿过绝缘平坦层和第一绝缘层与LTPS半导体层的漏极连接,所述第二金属层的顶部设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层的顶部设置有IGZO半导体,所述IGZO半导体的两侧搭接有用作IGZOTFT的源极和漏极的第三金属层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 福建华佳彩有限公司 一种新型面板架构

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