申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-10-18

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117317030A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/34;H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种IGZO晶体管、制备方法及IGZODRAM存储单元；存储单元包括：晶体管、位线、读出字线和写入字线，其中晶体管包括：背栅、背栅介质层、a‑IGZO沟道层、顶栅介质层、源极及漏极。解决了沟道长度在10nm及以下时栅控下降，漏电流增大及现有存储单元保持时间短问题，同时较现有技术可以实现更小的体积、更长的保持时间和更好的存储稳定性。

主权项：1.一种IGZO晶体管，其特征在于，包括：背栅、背栅介质层、a-IGZO沟道层、顶栅介质层、源极及漏极；所述背栅顶部及侧面设有背栅介质层，所述背栅介质层的顶部中心区域连接有a-IGZO沟道层；所述a-IGZO沟道层顶部中心区域连接有保护层；所述a-IGZO沟道层、所述保护层的两侧区域分设有源极和漏极；保护层顶部、源极顶部和漏极顶部与顶栅介质层底部连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种IGZO晶体管、制备方法及IGZO DRAM存储单元

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