申请/专利权人：柳州华锡有色设计研究院有限责任公司

申请日：2023-10-17

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117447188A

主分类号：C04B35/01

分类号：C04B35/01;C04B35/453;C04B35/622;C23C14/34;C23C14/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法，按以下步骤进行：将IGZO生坯放入烧结炉中，在负压以及空气气氛下，由室温以速率Ⅰ升至第一烧结温度500～700℃，保温2～6h进行脱脂；将炉内的温度再以速率Ⅰ升至700～800℃后开始充入氧气，控制炉内的气压；在氧气气氛下，将炉内的温度以速率Ⅱ升至第二烧结温度1350～1550℃，保温1～4h；将炉内的温度以速率Ⅲ降至第三烧结温度1300～1380℃，保温4～6h，在此段保温时间的中点通入氩气、调整氧气流量来调节炉内氧体积浓度，氧气和氩气流量比控制在（0.2～0.8）:1；将炉内的温度以速率Ⅳ降至800～1000℃后随炉冷却，停止通入氧气，当温度降至650～950℃停止通入氩气，最后室温出炉，得到IGZO靶材。本发明操作简便，工艺简单可控，可实现大规模工业生产，获得的IGZO靶材相对密度可达99.70%，电阻率不高于1.49mΩ·cm。

主权项：1.一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法，其特征在于，按以下步骤进行：（1）将IGZO生坯放入烧结炉中，在负压以及空气气氛下，由室温以速率Ⅰ升至第一烧结温度500～700℃，保温2～6h进行脱脂；（2）将炉内的温度再以速率Ⅰ升至700～800℃后开始充入氧气，控制炉内的气压；（3）在氧气气氛下，将炉内的温度以速率Ⅱ升至第二烧结温度1350～1550℃，保温1～4h；（4）将炉内的温度以速率Ⅲ降至第三烧结温度1300～1380℃，保温4～6h，在此段保温时间的中点通入氩气、调整氧气流量来调节炉内氧体积浓度，氧气和氩气流量比控制在（0.2～0.8）:1；（5）将炉内的温度以速率Ⅳ降至800～1000℃后随炉冷却，停止通入氧气，当温度降至650～950℃停止通入氩气，最后室温出炉，得到IGZO靶材。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法

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