申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117844484A

主分类号：C09K13/06

分类号：C09K13/06;H01L21/311

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种氧化铝和IGZO的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括3％‑5％的碱液、1％‑2％的卤素盐、1％‑3％的铟镓锌盐化合物、0.1％‑1.0％的蒽醌类化合物、10％‑20％的醇类有机溶剂，其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够保证氧化铝与IGZO具有大于1000的选择比，且蚀刻后的wafer有较好的粗糙度。

主权项：1.一种氧化铝和IGZO的选择性蚀刻液，其特征在于：按质量百分数计，包括3％-5％碱液、1％-2％卤素盐、1％-3％铟镓锌盐化合物、0.1％-1.0％蒽醌类化合物、10％-20％醇类有机溶剂，其余成分为去离子水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种氧化铝和IGZO的选择性蚀刻液

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