申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855285A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/12

优先权：["20221006 KR 10-2022-0128195","20230227 KR 10-2023-0026098"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本公开涉及一种薄膜晶体管、一种晶体管阵列基底和一种制造晶体管阵列基底的方法。所述薄膜晶体管包括：有源层，设置在基底上并且包括沟道区、与所述沟道区的一侧连接的源极区、以及与所述沟道区的另一侧连接的漏极区；栅极绝缘层，在所述有源层的所述沟道区上；以及栅极电极，在所述栅极绝缘层上。所述栅极电极的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的边界表面的坡度角是钝角基本上钝角。所述栅极绝缘层的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的所述边界表面的坡度角是钝角基本上钝角。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：有源层，在基底上并且包括沟道区、与所述沟道区的一侧连接的源极区、以及与所述沟道区的另一侧连接的漏极区；栅极绝缘层，在所述有源层的所述沟道区上；以及栅极电极，在所述栅极绝缘层上，其中，所述栅极电极的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的边界表面的坡度角是钝角，并且所述栅极绝缘层的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的所述边界表面的坡度角是钝角。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星显示有限公司 薄膜晶体管、晶体管阵列基底和制造其的方法

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