申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-12-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855265A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor,HEMT的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。

主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：缓冲层，设于基底上；第一阻障层，设于该缓冲层上；P型半导体层，设于该第一阻障层上；硬掩模，设于该P型半导体层上；以及间隙壁，相邻于P型半导体层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法

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