申请/专利权人：材料科学姑苏实验室

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858615A

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10N70/20;H10N79/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法。所述3D集成忆阻器包括沿选定方向依次层叠设置的p型衬底、氮化物功能层和顶部电极。其中，所述p型衬底与所述氮化物功能层构成pn异质结构，所述顶部电极层的功函数与所述氮化物功能层的费米能级相匹配。本发明首次采用氮化物材料，发明的忆阻器为单一层叠结构，并与pn异质结构实现3D集成，能够有效避免忆阻单元之间的串扰问题，制备工艺简单，易集成，成本低，可与CMOS工艺兼容，非常适合工业化生产。

主权项：1.一种基于氮化物的3D集成忆阻器，其特征在于，包括：沿选定方向依次层叠设置的p型衬底1、氮化物功能层2和顶部电极3，所述氮化物功能层的导电类型为n型，所述氮化物功能层2包括沿所述选定方向依次层叠设置在所述p型衬底1上的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述p型衬底1构成pn异质结构，所述第二部分与所述顶部电极3构成阻变功能结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 材料科学姑苏实验室 一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法

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