申请/专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117850666A

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06;G06F12/0873

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本发明实施例提供了一种多端口读写的缓存管理方法及装置。该方法包括：将芯片上多端口RAM缓存划分为M×N的缓存单元阵列，其中，所述多端口RAM缓存包括K个写端口和H个读端口，M、N、K和H均为大于1的整数，N大于K和H；在写操作时，通过所述K个写端口将K个数据一次写入所述缓存单元阵列的K个不同列，其中，每个写端口对应缓存单元阵列的一个不同列；在读操作时，通过所述H个读端口一次从所述缓存单元阵列读取共H×N个数据，其中，每个读端口一次从所述缓存单元阵列的每一行中读取一个数据。通过本发明，解决了相关技术中多端口RAM存在缓存利用率低的问题。

主权项：1.一种多端口读写的缓存管理方法，其特征在于，包括：将芯片上多端口随机存取存储器RAM缓存划分为M×N的缓存单元阵列，其中，所述多端口RAM缓存包括K个写端口和H个读端口，M、N、K和H均为大于1的整数，N大于K和H；在写操作时，通过所述K个写端口将K个数据一次写入所述缓存单元阵列的K个不同列，其中，每个写端口对应缓存单元阵列的一个不同列；在读操作时，通过所述H个读端口一次从所述缓存单元阵列读取共H×N个数据，其中，每个读端口一次从所述缓存单元阵列的每一行中读取一个数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市中兴微电子技术有限公司 多端口读写的缓存管理方法及装置

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