申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855027A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L31/18;H01L31/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备领域。本发明要解决现有技术制备成本高，生长尺寸小，薄膜生长的参数难以调控的技术问题。本发明方法：用前驱体镓源、溶剂和稳定剂制备溶胶溶液；清洗衬底；旋涂法覆膜；每次旋涂覆膜后，进行薄膜表面热处理；旋涂四层后，进行氧化镓过渡层退火，薄膜旋涂至一定的厚度后进行氧化镓外延层结晶退火。本发明制备的氧化镓薄膜平整度高，尺寸大、均匀性高，尺寸可达四英寸，可根据实际应用环境恶劣程度制备出不同厚度的氧化镓薄膜材料，在日盲紫外光电探测领域具有应用前景。

主权项：1.一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法，其特在于，所述方法是通过下述步骤实现的：步骤一、将稳定剂和溶剂混合均匀，再加入前驱体镓源，混合均匀，恒温下搅拌至透明，而后静止老化，得到溶胶溶液；步骤二、清洗衬底；第三步、将步骤一获得溶胶溶液通过旋涂法覆膜在清洗后的衬底；第四步、然后对覆膜衬底进行热处理；第五步、重复步骤三和四的操作4次，进行氧化镓过渡层退火；第六步、继续重复步骤三和四的操作，直至一定的厚度后进行氧化镓外延层结晶退火，得到氧化镓薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法

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