申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854550A

主分类号：G11C5/02

分类号：G11C5/02;G11C29/00;H01L21/50;H10B80/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本公开提供了一种芯片堆叠结构及其制作方法，芯片堆叠结构包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的信号传输结构以及设置在第一半导体芯片上的第一控制电路和第一选择电路；信号传输结构包括第一传输结构和第二传输结构；第一控制电路包括第一编程器件，第一编程器件被配置为存储第一传输结构的状态信息，第一控制电路与第一选择电路的控制端耦接；第一选择电路的两个输出端分别与第一传输结构和第二传输结构耦接，第一选择电路被配置为根据第一编程器件存储的状态信息，将信号传输至第一传输结构和第二传输结构之一。使得芯片堆叠结构上电瞬间即可读取第一传输结构的状态信息，缩短信息传递路径。

主权项：1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、连接所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的信号传输结构、设置在所述第一半导体芯片上的第一控制电路和第一选择电路；其中，所述信号传输结构包括第一传输结构和第二传输结构，所述第一传输结构和所述第二传输结构均包括设置在所述第二半导体芯片中的硅通孔；所述第一控制电路包括第一编程器件，所述第一编程器件为一次性可编程器件，所述第一编程器件被配置为存储所述第一传输结构的状态信息，所述第一控制电路与所述第一选择电路的控制端耦接；所述第一选择电路的两个输出端分别与所述第一传输结构和所述第二传输结构耦接，所述第一选择电路被配置为根据所述第一编程器件存储的所述状态信息，将信号传输至所述第一传输结构和所述第二传输结构之一。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 芯片堆叠结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD