申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855352A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明属于LED外延结构制备技术领域，具体涉及一种基于渐变超晶格控制应变的LED外延结构及制备方法，包括原位AlN层、超晶格n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、EBL层、pAlGaN渐变层、重掺杂pGaN层和蓝宝石平面衬底，原位AlN层生长在蓝宝石平面衬底上，原位AlN层上生长有超晶格n型AlGaN接触层，超晶格n型AlGaN接触层上生长有多量子阱有源层，多量子阱有源层上生长有EBL层，EBL层上生长有pAlGaN渐变层，pAlGaN渐变层上生长有重掺杂pGaN层。本发明整个nAlGaN层采用平均Al组分线性降低的短周期超晶格，降低了n层生长的弛豫度，阻挡了位错的扩展和增殖。

主权项：1.一种基于渐变超晶格控制应变的LED外延结构制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1、使用纯氮气氛围下磁控溅射、高温退火和深冷处理的组合工序，制备氮极性高温退火的AlN模板；S2、在氮极性高温退火的AlN模板表面生长原位AlN层（1），降低AlN模板中的压应力，此时AlN模板的极性依然保持为氮极性；S3、在降低压应力后的AIN模板上使用低压、高温、低长速的生长工艺条件，生长平均Al组分线性降低的超晶格n型AlGaN接触层（2）；S4、在超晶格n型AlGaN接触层（2）表面生长多量子阱有源层（3），在多量子阱有源层（3）表面生长EBL层（4），在EBL层（4）表面生长pAlGaN渐变层（5），所述pAlGaN渐变层（5）为Al组分线性增加的极化诱导层，同时对超晶格n型AlGaN接触层（2）和pAlGaN渐变层（5）做极化诱导掺杂，在pAlGaN渐变层（5）表面生长重掺杂pGaN层（6）。

全文数据：

权利要求：

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