申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117850180A

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00;G03F7/20;G03F1/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种基于衍射的套刻精度误差标计结构，包括多个呈矩阵式分布的方岛分布区；全部或部分的方岛分布区上形成有方岛结构，方岛结构构成当层光栅结构和前层光栅结构的光栅设计结构，光栅设计结构的长度大于入射光光斑的长度，光栅设计结构用于量测入射光在x方向和y方向的衍射光强，衍射光强需符合预设范围。本发明可以实现一次量测一个基于衍射的套刻精度误差标计结构同时获取x和y方向的套刻精度信息，即可节省切割道空间，又可提升量测效率。

主权项：1.一种基于衍射的套刻精度误差标计结构，其特征在于，至少包括：多个呈矩阵式分布的方岛分布区；全部或部分的所述方岛分布区上形成有方岛结构，所述方岛结构构成当层光栅结构和前层光栅结构的光栅设计结构，所述光栅设计结构的长度大于入射光光斑的长度，所述光栅设计结构用于量测入射光在x方向和y方向的衍射光强，所述衍射光强需符合预设范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 基于衍射的套刻精度误差标计结构及其使用方法

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