申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849567A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种碳化硅MOS器件老化筛选方法，涉及半导体加工技术领域。本发明通过短期的老化筛选，剔除批量产品中存在前期失效的产品，保证筛选后的产品可以通过可靠性1000H的考核。同时也利用此方法对批量产品进行筛选，保证了产品在客户端的可靠性，降低产品的失效概率。

主权项：1.一种碳化硅MOS器件老化筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，初测；芯片封装完成之后进行编号、测试；测试机台的电压上限为3000V，最大电流可达500A；步骤S200，老化；将产品进行高温反偏试验，实验温度为175℃，实验电压为100%VR；步骤S300，针对步骤S200老化结束的产品，继续进行栅极偏置电压老化试验；步骤S310，首先进行正向偏置电压实验，实验温度为175℃，实验电压为产品的VGS+max；步骤S320，然后进行负偏置电压实验，实验温度为175℃，实验电压为产品的VGS-max；步骤S400，按照S100编号顺序进行BVDSS、IDSS、IGSS+、.IGSS-、VTH、RDSON和VFSD数据采集；将采集到的数据与步骤S100初测的数据进行比对，超出漂移量范围的产品进行剔除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种碳化硅MOS器件老化筛选方法

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