申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2021-07-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117859265A

主分类号：H03F1/26

分类号：H03F1/26;H03H11/32;H03F3/30;H03F3/193

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：提供了一种有源巴伦放大器，包括：串联布置的第一多个金属氧化物半导体metaloxidesemiconductor，MOS晶体管，所述第一多个MOS晶体管包括第一导电类型的第一输入晶体管、第二导电类型的第二输入晶体管，以及串联布置在所述第一输入晶体管与所述第二输入晶体管之间的至少两个公共栅极晶体管，其中，所述第一输入晶体管的栅极和所述第二输入晶体管的栅极连接到公共输入端；串联布置的第二多个MOS晶体管，所述第二多个MOS晶体管包括所述第一导电类型的第一公共源极晶体管、所述第二导电类型的第二公共源极晶体管，以及串联布置在所述第一公共源极晶体管与所述第二公共源极晶体管之间的至少两个共源共栅晶体管。

主权项：1.一种有源巴伦放大器，其特征在于，包括：串联布置的第一多个金属氧化物半导体MOS晶体管，所述第一多个MOS晶体管包括第一导电类型的第一输入晶体管、第二导电类型的第二输入晶体管，以及串联布置在所述第一输入晶体管与所述第二输入晶体管之间的至少两个公共栅极晶体管，其中，所述第一输入晶体管的栅极和所述第二输入晶体管的栅极连接到公共输入端；串联布置的第二多个MOS晶体管，所述第二多个MOS晶体管包括所述第一导电类型的第一公共源极晶体管、所述第二导电类型的第二公共源极晶体管，以及串联布置在所述第一公共源极晶体管与所述第二公共源极晶体管之间的至少两个共源共栅晶体管；耦合电容器，其中，所述耦合电容器的第一端耦合到位于所述第一输入晶体管与第一公共栅极晶体管之间的第一耦合点，以及耦合到所述第一公共源极晶体管的栅极，并且，所述耦合电容器的第二端耦合到位于所述第二输入晶体管与第二公共栅极晶体管之间的第二耦合点，以及耦合到所述第二公共源极晶体管的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 有源巴伦放大器

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