申请/专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116544282B

主分类号：H01L29/808

分类号：H01L29/808;H01L21/337;H01L29/06;H01L29/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要：本发明提供一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，包括：下表面设置有集电极的P+型碳化硅衬底；位于所述P+型碳化硅衬底上方的N型场截止层；位于所述N型场截止层上方的N‑型漂移区，且所述N‑型漂移区的两端设置有栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底面和侧壁的P+型掺杂区；位于所述P+型掺杂区上表面的栅极；位于所述N‑型漂移区的上表面和所述两个栅极沟槽之间的N‑型漂移区的侧面的N+型掺杂区，所述N+型掺杂区与所述P+型掺杂区无接触；以及位于所述N‑型漂移区上方的发射极。本发明还提供上述SiC结型栅双极型晶体管器件的制备方法。本发明的SiC结型栅双极型晶体管器件可靠性高、击穿电压高、开关速度快、元胞尺寸小。

主权项：1.一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，其特征在于，所述碳化硅结型栅双极型晶体管器件的元胞结构包括：P+型碳化硅衬底，所述P+型碳化硅衬底的下表面设置有集电极；N型场截止层，位于所述P+型碳化硅衬底的上方；N-型漂移区，位于所述N型场截止层的上方，且所述N-型漂移区的两端分别设置有栅极沟槽；P+型掺杂区，位于所述栅极沟槽的底面和侧壁；栅极，位于栅极沟槽底面的所述P+型掺杂区的上表面；N+型掺杂区，位于所述N-型漂移区的上表面和所述两个栅极沟槽之间的N-型漂移区的侧面，所述N+型掺杂区与所述P+型掺杂区无接触，且位于所述N-型漂移区的上表面的N+型掺杂区，在纵向方向上包括多个间隔排列的方形区域；发射极，位于所述N-型漂移区的上方，且位于所述N-型漂移区的上表面的N+型掺杂区夹设在所述N-型漂移区和所述发射极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 碳化硅结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD