申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
申请日:2023-10-18
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117096238B
主分类号:H01L33/22
分类号:H01L33/22;H01L33/46;H01L33/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.09#授权;2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开
摘要:本发明提供一种复合衬底及其制备方法、LED芯片,该复合衬底包括第一图形化衬底、依次层叠在所述第一图形化衬底上的反射层、键合层以及第二图形化衬底;其中,所述第一图形化衬底的厚度小于所述第二图形化衬底的厚度,所述第一图形化衬底上的第一图形为周期性图形,周期性图形当中的每个第一图形的高度为4µm~10µm,宽度为1µm~4µm。本发明解决了现有技术中的由于衬底的局限性而导致芯片的光角小,且侧面出光不够亮,从而光大部分聚集在芯片中心,导致芯片中心光强太强的问题。
主权项:1.一种复合衬底,其特征在于,包括第一图形化衬底、依次层叠在所述第一图形化衬底上的反射层、键合层以及第二图形化衬底;其中,所述第一图形化衬底的厚度小于所述第二图形化衬底的厚度,所述第一图形化衬底的厚度为150µm-200µm,所述第二图形化衬底的厚度为400µm~550µm,所述第一图形化衬底上的第一图形为周期性图形,周期性图形当中的每个第一图形的高度为4µm~10µm,宽度为1µm~4µm,相邻两个第一图形之间的间距为0.5µm~4µm;所述第二图形化衬底上的第二图形为周期性图形,周期性图形当中的每个第二图形的高度为1µm~2µm,宽度为2µm~3µm,相邻两个第二图形之间的间距为0.1µm~5µm。
全文数据:
权利要求:
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