申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司

申请日：2023-06-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116864568B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.10.27#实质审查的生效;2023.10.10#公开

摘要：本发明提供一种双面SE的TOPcon太阳能电池制备方法，涉及TOPcon太阳能电池加工技术领域。所述双面SE的TOPcon太阳能电池的制备主要为清洗制绒、前硼掺杂、正面激光SE、后硼掺杂、去BSG与碱式抛光、LPCVD镀非晶硅、一次磷扩散、背面激光SE、二次磷扩散、去PSG与RCA清洗、PECVD镀减反射层、正背面金属化、电注入或光注入等步骤。本发明克服了现有技术的不足，在现有TOPcon电池结构和设备基础上，对P扩工艺进行优化，同时引进激光开槽技术，叠加二次P扩形成选择性发射极N++区，在提升效率的同时，工艺相对简单，成本增加较少，窗口大。

主权项：1.一种双面SE的TOPcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、清洗制绒：选择N型硅片进行双面清洗制绒；S2、前硼掺杂：对制绒后的硅片进行前硼掺杂；S3、正面激光SE：对处理后的硅片正面激光SE选择性重掺杂；S4、后硼掺杂：对上述步骤S3工序完成后的硅片进行二次硼掺杂；S5、去BSG与碱式抛光：背面去除BSG，背面湿法化学碱抛光，同时去除正面BSG层；S6、LPCVD镀非晶硅：对硅片背面沉积SiOx隧穿层后LPCVD镀非晶硅层；S7、一次磷扩散：对背面非晶硅进行管式磷扩散掺杂，并增加后氧处理步骤于表面沉积一层SiOx；且一次磷扩散为表面轻掺杂，ECV表面浓度为0.3-1*E20,方阻值20-50Ωsqr，结深0.1-0.2μm，PSG厚度0.1-0.5μm；S8、背面激光SE：按照丝网印刷图形对PSG进行开槽处理，并将PSG层P原子推向非晶硅层，形成背面SE区域；S9、二次磷扩散：背面进行二次管式磷扩散，背面非SE区域有较厚PSG阻挡，磷原子掺杂缓慢，背面SE区域磷原子快速沉积并向非晶硅内部扩散，形成背面N++区，沉积结束后对表面进行后氧处理，在N++区表面生长SiOx层；S10、去PSG与RCA清洗：采用湿法刻蚀去除正面及边缘PSG，露出正面绕镀的非晶硅层后，用RCA清洗法，去除正面非晶硅层与残留的PSG、BSG层，同时将背面PSG层全部去除；S11、PECVD镀减反射层：正面镀Al2O3及SiNx减反射膜，背面镀SiNx减反射膜；S12、正背面金属化：背面铝浆+银浆套印背面SE图案印刷；正面银浆印刷；S13、电注入或光注入：烧结、电注入或光注入、测试、分选制得双面SE的TOPcon太阳能电池。

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权利要求：

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