申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2021-02-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113280923B

主分类号：H05B3/20

分类号：H05B3/20;G01J5/48;H05B3/22;H05B3/06;H05B3/03;H05B3/02

优先权：["20200220 JP 2020-027481"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.09.07#实质审查的生效;2021.08.20#公开

摘要：本发明提供可获取表示对形成于硅晶片的电子器件的发热所引起的温度分布进行了模拟的温度分布的红外线图像的技术。本发明提供一种仿真晶片，其包括：面状加热器；和夹持上述面状加热器的铝合金制、铝制或者碳化硅制的一对板状部材。

主权项：1.一种仿真晶片，其特征在于，包括：面状加热器，其具有2个膜和被夹在该2个膜之间的多个发热体；和夹持所述面状加热器的铝合金制、铝制或者碳化硅制的一对板状部材，所述多个发热体分别具有与用于向各所述发热体独立地供给电流的电源连接的正极性端子和负极性端子，以能够选择一个以上的所述发热体来进行发热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 仿真晶片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD