申请/专利权人：南京大学

申请日：2021-10-25

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113990890B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H04N25/76

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开

摘要：本发明公开了一种基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器。其单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅晶体管和全局快门结构，其中，复合介质栅晶体管包括源漏区、底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质层和控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质层和控制栅极；复合介质栅MOS电容的两侧设有全局快门结构，全局快门结构包括P或P+型掺杂隔离区和N+型掺杂区，通过控制N+型掺杂区上的电压实现MOS电容感光时光电子收集的开启与关闭。本发明能在不额外占用探测器单元空间的情况下，实现探测器的全局曝光功能，并能避免现有浅槽隔离界面处暗电流噪声的影响。

主权项：1.基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器，该探测器的单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅晶体管和全局快门结构，其中，复合介质栅晶体管包括源漏区、第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅极，所述第一浮栅与第二浮栅相连；其特征在于，所述复合介质栅MOS电容的两侧设有全局快门结构，全局快门结构包括P或P+型掺杂隔离区和N+型掺杂区，其中，N+型掺杂区作为PN结的全局快门电极，通过控制N+型掺杂区上的电压实现MOS电容感光时光电子收集的开启与关闭。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器及工作方法

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