申请/专利权人：无锡麟聚半导体科技有限公司

申请日：2023-02-17

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116073656B

主分类号：H02M3/156

分类号：H02M3/156;H02M1/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.05.23#实质审查的生效;2023.05.05#公开

摘要：本发明提供一种电流调节电路及芯片，用于调节DCDC降压电路中电感的电流，调节模块通过采样所述第一驱动信号与所述第二驱动信号并对比电感的电流与电流阈值，输出对应的调节信号，调节信号对电感的电流进行调节；调制模块基于PMOS管的开启电流得到调制信号；控制模块输出与调制信号同相的第一控制信号，及与时钟信号同相的第二控制信号；当电感的电流大于等于电流阈值时，调节信号与调制信号竞争，基于竞争的结果进而对第一控制信号进行调节；当电感的电流小于电流阈值时，由调制信号对第一控制信号进行调节。通过调节模块提高配置属性，降低调节电感峰值电流的操作方式的复杂程度，极大地节约电路面积，具有广泛的适用性。

主权项：1.一种电流调节电路，用于调节DCDC降压电路中电感的电流，其特征在于，所述电流调节电路至少包括：调节模块、调制模块及控制模块，其中：所述调节模块与第一控制信号、第一驱动信号以及第二驱动信号连接，通过采样所述第一驱动信号与所述第二驱动信号并对比电感的电流与电流阈值，输出对应的调节信号，所述调节信号对电感的电流进行调节，其中，所述第一驱动信号与DCDC降压电路中PMOS管的源极连接；所述第二驱动信号与PMOS管的漏极连接；所述调制模块基于PMOS管的开启电流得到调制信号；所述控制模块与所述调节信号、所述调制信号、所述第一驱动信号以及时钟信号连接，输出与所述调制信号同相的所述第一控制信号，及与所述时钟信号同相的第二控制信号，其中，所述第一控制信号用于控制PMOS管的开启与关断；所述第二控制信号用于控制DCDC降压电路中NMOS管的开启与关断；当电感的电流大于等于所述电流阈值时，所述调节信号与所述调制信号竞争，基于竞争的结果进而对所述第一控制信号进行调节；当电感的电流小于所述电流阈值时，由所述调制信号对所述第一控制信号进行调节；所述调节模块包括第一调节单元与第二调节单元，其中：所述第一调节单元与所述第一控制信号、所述第一驱动信号、所述第二驱动信号以及参考信号连接，输出所述调节信号；所述第二调节单元连接于参考地与所述第一调节单元之间；所述第一调节单元包括功率调节子单元与时序调节子单元，其中：所述功率调节子单元的输入端与所述第一驱动信号、所述第二驱动信号以及所述参考信号连接；所述时序调节子单元的输入端与所述第一控制信号以及所述功率调节子单元的输出端连接，生成所述调节信号；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管、第三NMOS功率管、第四NMOS功率管、第五NMOS功率管、第六NMOS功率管、第七NMOS功率管、第一PMOS功率管、第二PMOS功率管、第三PMOS功率管、第四PMOS功率管、第五PMOS功率管、第六PMOS功率管、第七PMOS功率管、第八PMOS功率管、第九PMOS功率管、第十PMOS功率管、第十一PMOS功率管、第十二PMOS功率管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及电流源，其中：所述第三电阻的第一端与所述第一驱动信号连接；所述第一PMOS功率管的源极与所述第三电阻的第二端连接，所述第一PMOS功率管的栅极与功率地连接，其中，功率地与DCDC降压电路中NMOS管的源极连接；所述第三PMOS功率管的源极与所述第一PMOS功率管的漏极连接，所述第三PMOS功率管的栅极与所述第一PMOS功率管的栅极连接；所述第四PMOS功率管的源极与所述第三PMOS功率管的漏极连接；所述第一电阻连接于所述第四PMOS功率管的漏极与参考地之间；所述第四电阻的第一端与所述第二驱动信号连接；所述第二PMOS功率管的源极与所述第四电阻的第二端连接，所述第二PMOS功率管的栅极与功率地连接；所述第五PMOS功率管的源极与所述第二PMOS功率管的漏极连接，所述第五PMOS功率管的栅极与所述第四PMOS功率管的栅极连接；所述第二电阻连接于所述第五PMOS功率管的漏极与参考地之间；所述电流源的第一端与工作电压连接；所述第一NMOS功率管的漏极与所述电流源的第二端连接，所述第一NMOS功率管的栅极与所述第一NMOS功率管的漏极连接，所述第一NMOS功率管的源极与参考地连接；所述第六PMOS功率管的源极与所述第三PMOS功率管的漏极连接，所述第六PMOS功率管的栅极与所述第四PMOS功率管的栅极连接，所述第六PMOS功率管的漏极与栅极连接；所述第二NMOS功率管的漏极与所述第六PMOS功率管的漏极连接，所述第二NMOS功率管的栅极与所述第一NMOS功率管的栅极连接，所述第二NMOS功率管的源极与参考地连接；所述第七PMOS功率管的源极与工作电压连接，所述第七PMOS功率管的栅极与漏极连接；所述第三NMOS功率管的漏极与所述第七PMOS功率管的漏极连接，所述第三NMOS功率管的栅极与所述第二NMOS功率管的栅极连接，所述第三NMOS功率管的源极与参考地连接；所述第八PMOS功率管的源极与工作电压连接，所述第八PMOS功率管的栅极与所述第七PMOS功率管的栅极连接；所述第九PMOS功率管的源极与所述第八PMOS功率管的漏极连接，所述第九PMOS功率管的栅极与所述参考信号连接；所述第四NMOS功率管的漏极与栅极连接，所述第四NMOS功率管的源极与参考地连接；所述第十PMOS功率管的源极与所述第八PMOS功率管的漏极连接，所述第十PMOS功率管的栅极与所述第二调节单元连接；所述第五NMOS功率管的漏极与所述第十PMOS功率管的漏极连接，所述第五NMOS功率管的栅极与所述第四NMOS功率管的栅极连接，所述第五NMOS功率管的源极与参考地连接；所述第十一PMOS功率管的源极与工作电压连接，所述第十一PMOS功率管的栅极与漏极连接；所述第六NMOS功率管的漏极与所述第十一PMOS功率管的漏极连接，所述第六NMOS功率管的栅极与所述第五NMOS功率管的漏极连接，所述第六NMOS功率管的源极与所述第二调节单元连接；所述第十二PMOS功率管的源极与工作电压连接，所述第十二PMOS功率管的栅极与所述第十一PMOS功率管的栅极连接，所述第十二PMOS功率管的漏极与所述第四PMOS功率管的漏极连接；所述第七NMOS功率管的漏极与所述第十二PMOS功率管的漏极连接，所述第七NMOS功率管的源极与参考地连接。

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