申请/专利权人：株式会社国际电气

申请日：2019-03-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113316836B

主分类号：H01L21/285

分类号：H01L21/285;C23C16/02;C23C16/455;H01L21/31

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开

摘要：具有下述工序：a在第1温度下，向表面露出有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂，并使之吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；b在比第1温度高的第2温度下，对一者的基底的表面吸附吸附抑制剂后的衬底进行热退火的工序；c在比第2温度低的第3温度下，向热退火后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。

主权项：1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：a在第1温度下，向表面具有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂、使该吸附抑制剂吸附于所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面的工序，其中，所述第1基底包含不含氧的含金属元素膜，所述第2基底包含不含氧的含半金属元素膜；b在比所述第1温度高的第2温度下，对使所述吸附抑制剂吸附于所述一者的基底的表面后的所述衬底进行退火的工序；和c在比所述第2温度低的第3温度下，向所述退火后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质

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