申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

申请日：2020-11-02

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112271137B

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L21/265

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带结构，从而使得部分漏电通道中电子跃迁需要能量增加，最终达到漏电流减小，漏电通道得到钝化的效果。上述自由原子会填充并消除高电子迁移率晶体管内部的缺陷，从而将高电子迁移率晶体管中多种漏电通道钝化为同一种漏电通道，提升对高电子迁移率晶体管的钝化效果，提升高电子迁移率晶体管的响应度。

主权项：1.一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，其特征在于，包括：将高电子迁移率晶体管置于钝化装置内；通过所述钝化装置向所述高电子迁移率晶体管的待钝化区域施加预设大小的附加能量，以在所述待钝化区域生成自由迁移至漏电通道的自由原子；所述待钝化区域具有多种漏电通道，所述附加能量大于所述待钝化区域的晶格中原子被碰撞离开晶格的迁移能量，所述自由原子的剂量小于所述待钝化区域改变为非晶态的剂量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法

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