申请/专利权人：上海芯稳微电子有限公司

申请日：2023-04-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220754643U

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型提供了一种基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器，通过变压器驱动开通和或关闭MOSFET开关管；包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第一电阻以及第二电阻；所述基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器用于根据输入的所述第一输入信号、所述第一复位信号以及所述第一电压信号，产生第一控制信号，并通过所述第一输出端输出到变压器，以通过所述变压器控制MOSFET开关管驱动开通或关闭。该技术方案在实现变压器驱动开通和关闭后续MOSFET的同时，实现了驱动信号和关闭信号相位独立。

主权项：1.一种基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器，通过变压器驱动开通和或关闭MOSFET开关管；其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第一电阻以及第二电阻；所述第一晶体管的基极用于输入第一输入信号；所述第一晶体管的基极连接所述第一晶体管的发射极；所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的基极、所述第一电容的第一端以及所述第一电阻的第一端；所述第二晶体管的基极连接所述第二晶体管的发射极；所述第二晶体管的集电极连接所述第三晶体管的集电极与所述第五晶体管的发射极；所述第五晶体管的基极连接所述第一电阻的第二端；其中，所述第一电阻的第二端连接所述第一电阻的中位端；所述第三晶体管的基极连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端连接所述第四晶体管的集电极；其中，所述第二电阻的第二端连接所述第二电阻的中位端；所述第四晶体管的发射极连接所述第四晶体管的基极；所述第四晶体管的基极用于接收第一复位信号；所述第一电容的第二端连接所述第三晶体管的发射极与所述第五晶体管的集电极，且所述第一电容的第二端接地；所述第一晶体管的集电极连接第一电压输入端，用于接收第一电压信号；所述第二晶体管的集电极连接第一输出端；所述基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器用于根据输入的所述第一输入信号、所述第一复位信号以及所述第一电压信号，产生第一控制信号，并通过所述第一输出端输出到变压器，以通过所述变压器控制MOSFET开关管驱动开通或关闭。

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权利要求：

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