申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832294A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/113;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法，通过在背反衬底1上设置减反型沟道4、漏极注入区6和源极注入区7；漏极注入区6设置在减反型沟道4的一端，源极注入区7设置在减反型沟道4的另一端；在所述背反衬底1上紧邻漏极注入区6的部分以及漏极注入区6上的部分均设置有漏电极3；在背反衬底1上紧邻源极注入区7的部分以及在源极注入区7上的部分均设置有源电极2；减反型沟道4包裹有栅电极5。减反型沟道4包括内外两层，内层为n型β‑Ga2O3层，外层为HfO2栅氧介质层；减反型沟道4包裹有栅电极5；漏电极3和漏极注入区6呈金属层叠结构，源电极2和源极注入区7呈金属层叠结构。本发明的沟道刻蚀为减反结构，可以有效减少光损失。

主权项：1.一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管，其特征在于，包括：背反衬底1，在所述背反衬底1上设置有减反型沟道4、漏极注入区6和源极注入区7；所述漏极注入区6设置在减反型沟道4的一端，所述源极注入区7设置在减反型沟道4的另一端；在所述背反衬底1上紧邻所述漏极注入区6的部分以及所述漏极注入区6上的部分均设置有漏电极3；在所述背反衬底1上紧邻所述源极注入区7的部分以及在所述源极注入区7上的部分均设置有源电极2；所述减反型沟道4包括内外两层，内层为n型β-Ga2O3层，外层为HfO2栅氧介质层；所述减反型沟道4包裹有栅电极5；所述漏电极3和所述漏极注入区6呈金属层叠结构，所述源电极2和所述源极注入区7呈金属层叠结构。

全文数据：

权利要求：

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