申请/专利权人：北京航空航天大学

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117835788A

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/855;B41M5/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种基于激光熔融半导体制造同质热电偶的方法，涉及热电偶制造领域，包括：In2O3纳米微粒墨水制备；In2O3线路喷墨打印；In2O3线路热烧结激光烧结：1烧结态线路制造；2弱熔融态线路制造；3强熔融态线路制造；将获得的烧结态线路、弱熔融态线路和强熔融态线路进行组合制造不同塞贝克系数的同质热电偶。本发明简化了原料沉积工艺，可实现更为复杂构型的多节点同质热电偶制造，提升同质薄膜热电偶输出的重复性与稳定性。本发明在优选工艺参数下制造的In2O3同质热电偶最高塞贝克系数可达84.2μVK，与异质薄膜半导体热电偶相近，是铂铑‑铂贵金属热电偶的近10倍。

主权项：1.一种基于激光熔融半导体制造同质热电偶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、In2O3纳米微粒墨水制备；步骤二、In2O3线路喷墨打印；步骤三、In2O3线路热烧结激光烧结；1烧结态线路制造；将喷墨打印好In2O3线路的基板置于可控温的管式炉内，并设置烧结温度为380-420℃，烧结20-30分钟，制造烧结态线路；2弱熔融态线路制造；将喷墨打印好In2O3线路的基板置于可控温的加热台上，并设置加热温度为190-210℃，调整Nd-YAG激光器光斑直径为0.3-0.35mm，设置激光扫描路径，调整激光功率为10-12W，扫描速度为450-550mms，扫描线间距为0.004-0.005mm，进行单次激光烧结，获得弱熔融态线路；3强熔融态线路制造；将喷墨打印好In2O3线路的基板置于可控温的加热台上，并设置加热温度为350-400℃，调整Nd-YAG激光器光斑直径为0.3-0.35mm，设置激光扫描路径，调整激光功率为20-24W，扫描速度为450-550mms，扫描线间距为0.004-0.005mm，进行单次激光烧结，获得强熔融态线路；步骤四、制造不同塞贝克系数的同质热电偶；将步骤三中获得的烧结态线路、弱熔融态线路和强熔融态线路进行组合，制造不同塞贝克系数的同质热电偶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航空航天大学 一种基于激光熔融半导体制造同质热电偶的方法

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