申请/专利权人：深圳市思坦科技有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832338A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62;H01L27/15;H01L25/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本公开涉及Micro‑Led显示技术领域，具体提供一种Micro‑Led器件制备方法及Micro‑Led器件。该Micro‑Led器件制备方法包括获取外延结构，并在所述外延结构上沉积电流扩展层；在所述电流扩展层远离所述外延结构一侧沉积电极金属层以形成光芯片，所述电极金属层包括金属合金层；对所述光芯片进行回流，以在所述电极金属层远离所述外延结构一侧形成铟球；将所述光芯片和驱动芯片进行键合，以在所述铟球两侧形成稳定的键合焊接层。该Micro‑Led器件制备方法减少开孔填金属工艺，缩短工艺制程；避免填孔金属中铝腐蚀问题；改善铟在金电极上的渗透问题；改善键合界面金属缝隙问题。

主权项：1.一种Micro-Led器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取外延结构，并在所述外延结构上沉积电流扩展层；在所述电流扩展层远离所述外延结构一侧沉积电极金属层以形成光芯片，所述电极金属层包括金属合金层；对所述光芯片进行回流，以在所述电极金属层远离所述外延结构一侧形成铟球；将所述光芯片和驱动芯片进行键合，以在所述铟球两侧形成稳定的键合焊接层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市思坦科技有限公司 Micro-Led器件制备方法及Micro-Led器件

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