申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832314A

主分类号：H01L31/105

分类号：H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18;G01J1/42

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请提供一种PIN型光敏元件及其制造方法及光敏探测器，本申请的PIN型光敏元件取消截止环结构，由此使得P型区在衬底表面的面积占比增加，由此可以增加光敏元件的光敏面积。由此可以提高光敏元件的光电流。另外，省去截止环结构，可以节省光敏元件的制作工序，也能够避免因衬底正面的P和B同时扩散形成的横向扩散导致的横向击穿漏电，提高器件的良率。因为本申请的光敏元件不存在上述因P和B同时扩散导致的横向击穿，因此可将背面的磷扩散加深，即将N型区加深，从而提高光敏二极管的暗电流的温漂性能。

主权项：1.一种PIN型光敏元件，其特征在于，至少包括：衬底，所述衬底具有相对设置的正面及背面；P型区，形成在所述衬底的正面，所述P型区的上表面与所述衬底的上表面位于同一平面，并且所述P型区在所述衬底正面的投影面积占所述P型区所在的光敏元件在所述衬底正面的投影面积的比介于0.8～0.95；N型区，形成在所述衬底的背面，所述N型区的表面与所述衬底的背面位于同一平面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 一种PIN型光敏元件及其制造方法、光敏探测器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD