申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878058A

主分类号：H01L21/82

分类号：H01L21/82;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/329;H01L21/335;H01L29/772;H01L29/861;G01K7/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种自适应短路保护的晶体管结构的制作方法和晶体管结构，包括：提供漏极衬底，其中漏极衬底具有器件区和接触区，器件区中形成有隔离栅沟槽；形成隔离栅电极在隔离栅沟槽的底部，构成隔离栅电极的电极层在接触区的部分能构成温度检测二极管的主体层；形成漏极衬底的有源层，其中形成有源层的元素在接触区的部分能构成主体层的第一电极；形成漏极衬底的源极领域层在有源层上，形成源极领域层的元素在接触区的部分能构成主体层的第二电极；形成源极金属层在漏极衬底上，所形成的源极金属层在接触区的部分被图案化构成连接相邻温度检测二极管的连接线，连接线两端分别连接不同的第一电极与第二电极。本发明具有使制作工艺更为精简的效果。

主权项：1.一种自适应短路保护的晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：提供漏极衬底，其中所述漏极衬底具有器件区和接触区，所述器件区中形成有隔离栅沟槽；形成隔离栅电极在所述隔离栅沟槽的底部，其中构成所述隔离栅电极的电极层在所述接触区的部分能构成多个区块状的温度检测二极管的半导体主体层；形成所述漏极衬底的有源层，其中形成所述有源层的元素在所述接触区的部分能构成所述温度检测二极管的半导体主体层的第一电极；形成所述漏极衬底的源极领域层在所述有源层上，其中形成所述源极领域层的元素在所述接触区的部分能构成所述温度检测二极管的半导体主体层的第二电极；形成源极金属层在所述漏极衬底上，其中所形成的源极金属层在所述接触区的部分被图案化构成连接相邻所述温度检测二极管的连接线，所述连接线两端分别连接不同温度检测二极管的第一电极与第二电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 自适应短路保护的晶体管结构和制造方法和晶体管结构

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