申请/专利权人：量子科技长三角产业创新中心

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881270A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;H10N60/82

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种晶圆通孔的填充方法及晶圆通孔填充结构，应用于量子芯片技术领域，包括：设置有TSV通孔的TSV衬底一侧键合一晶圆，以封闭TSV通孔的一侧开口；从TSV通孔未封闭的开口向TSV通孔内填入固态超导材料；融化固态超导材料，使融化后的超导材料填充TSV通孔；对融化的超导材料进行固化，并在固化后将TSV衬底与晶圆解键合。通过晶圆封住TSV通孔的一侧开口以形成盲孔结构，从而可以在后续融化固态超导材料时保证熔融的超导材料可以停留在TSV通孔内。之后通过对超导材料进行固化就可以在TSV通孔内填入形貌完整的超导材料。最后通过解键合就可以完成超导材料的填充，其工艺简单，且适用于大规模制备。

主权项：1.一种晶圆通孔的填充方法，其特征在于，包括：设置有TSV通孔的TSV衬底一侧键合一晶圆，以封闭所述TSV通孔的一侧开口；从所述TSV通孔未封闭的开口向所述TSV通孔内填入固态超导材料；融化固态超导材料，使融化后的超导材料填充所述TSV通孔；对融化的所述超导材料进行固化，并在固化后将所述TSV衬底与所述晶圆解键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 量子科技长三角产业创新中心 一种晶圆通孔的填充方法及晶圆通孔填充结构

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