申请/专利权人:泉州三安半导体科技有限公司
申请日:2023-12-29
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117878201A
主分类号:H01L33/10
分类号:H01L33/10
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本申请提供一种发光二极管元件及发光装置,发光二极管元件的半导体叠层的出光侧的背面上形成反射结构,该反射结构包括第一绝缘层,以及位于第一绝缘层远离半导体叠层的一侧的反射镜;第一绝缘层中形成有若干孔洞,反射镜填充至孔洞并覆盖所述第一绝缘层。上述反射镜不仅覆盖于第一绝缘层的表面,同时还填充在第一绝缘层中的孔洞中,由此形成三维结构,该三维结构大大增加了反射镜的表面积,通过设置孔洞的深度、开口尺寸、排列方式等,可以使得反射镜的表面积增加10%~20%,由此其发光效率相应地能够提高近5%~10%。
主权项:1.一种发光二极管元件,其特征在于,至少包括:半导体叠层,所述半导体叠层至少包括依次叠置的第一半导体层结构、有源层及第二半导体层结构,其中所述半导体叠层具有出光侧以及与所述出光侧相对的电极侧,所述半导体叠层的所述出光侧的表面形成为粗化结构;反射结构,形成在所述半导体叠层的所述电极侧,并且包括位于所述电极侧的表面的第一绝缘层,以及位于所述第一绝缘层远离所述半导体叠层的一侧的反射镜;所述第一绝缘层中形成有若干孔洞,所述反射镜填充至所述孔洞并覆盖所述第一绝缘层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管元件及发光装置
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