申请/专利权人：浙江大学

申请日：2024-02-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878171A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/0328

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种基于PbS量子点和1T‑CrS2的异质结结构、其制备方法及光电探测器，所述异质结结构为PbSCrS2衬底的异质结结构，包括：衬底；在所述的衬底上的CrS2层，所述CrS2层材料为1T相结构；在所述的CrS2层上的PbS层，所述PbS层材料为量子点结构。所述PbS表面不存在包覆配体；CrS2层的材料为1T相结构，可以作为载流子有效传输通道；应用于光电探测器时，该探测器中分散的PbS量子点作为感光层、而1T‑CrS2为载流子输运层，具有高响应度、高比探测率、低暗电流、响应速度快等优异特性。本发明异质结结构及其光电探测器的制备方法简单，兼容硅工艺，成本低。

主权项：1.一种基于PbS和CrS2的异质结结构，其特性在于，所述异质结结构为PbSCrS2衬底的异质结结构，包括：1衬底；2在所述的衬底上的CrS2层，所述CrS2层材料为1T相结构；3在所述的CrS2层上的PbS层，所述PbS层材料为量子点结构；优选的，所述CrS2在拉曼光谱中出现位于254±5cm-1和286±5cm-1的峰。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种基于PbS量子点和1T-CrS₂的异质结结构、其制备方法及光电探测器

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