申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

申请日：2022-11-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115986014B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要：本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlNGaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlNGaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。

主权项：1.一种发光二极管外延片，包括从下至上依次设置的衬底（100）、缓冲层（200）、N型半导体层（300）、多量子阱层（400）、低温P型GaN层（610）、电子阻挡层（620）及高温P型GaN层（630），其特征在于，在所述多量子阱层（400）和所述低温P型GaN层（610）之间还设置有连接层（500），所述连接层（500）包括位于所述多量子阱层（400）上的第一连接层（510），以及所述第一连接层（510）上的第二连接层（520）；所述第一连接层（510）为未掺杂GaN层，所述第二连接层（520）为AlNGaN超晶格结构；所述多量子阱层（400）包括势垒层；其中，所述第一连接层（510）为U型未掺杂GaN层；所述第一连接层（510）的厚度≥所述势垒层厚度；所述第一连接层（510）的厚度为20-200Å。

全文数据：

权利要求：

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