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【发明授权】一种用于检测头孢喹诺的适配体传感器的制备方法_长春工业大学_202210885073.8 

申请/专利权人:长春工业大学

申请日:2022-07-26

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN115266850B

主分类号:G01N27/26

分类号:G01N27/26;G01N27/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2023.05.16#著录事项变更;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要:一种用于检测头孢喹诺的适配体传感器的制备方法,本发明属于分析化学技术领域,特别是涉及一种基于三维网格结构的掺硼金刚石电化学适应传感器的制备方法。本发明是为了解决头孢喹诺检测困难,检测线比较高,传统传感器不能特异性检测的问题。本发明通过使用金纳米颗粒、适配体和6‑巯基‑1‑己醇对BDD网表面进行修饰;具有重复率高,灵敏度高的特点;本发明用于检测头孢喹诺。

主权项:1.一种用于检测头孢喹诺的适配体传感器的制备方法,其特征在于用于检测头孢喹诺的适配体传感器的制备方法是按以下步骤进行:一、按照设计需要裁剪铜网,然后将铜网在金刚石粉末溶液中超声20min,得到预处理铜网;二、将预处理铜网作为衬底材料,以H2、CH4和B作为气体源,采用微波等离子化学气相沉积法在衬底材料上生长硼掺杂多晶金刚石,然后采用浓硫酸和浓硝酸的混合液煮沸刻蚀铜网,去离子水清洗后得到自支撑金刚石网;三、采用离子溅射法在自支撑金刚石网上沉积金薄膜,得到纳米金颗粒复合金刚石网;四、将纳米金颗粒复合金刚石网置于高温烧结炉,在空气条件下在650℃下氧化45s,得到Au-NPsBDD电极;五、将Au-NPsBDD电极浸泡在适配体中,并在37℃下组装12h,采用去离子水冲洗后,得到AABDD电极;将AABDD电极置于1mmolL-16-巯基-1-己醇中,然后在常温下组装,持续1h,MCH覆盖了未被适配体占据的AABDD电极表面反应位点,得到MAABD适配体传感器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长春工业大学 一种用于检测头孢喹诺的适配体传感器的制备方法

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