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【发明授权】封装构造、半导体装置以及封装构造的形成方法_罗姆股份有限公司_201980055474.7 

申请/专利权人:罗姆股份有限公司

申请日:2019-08-23

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN112585745B

主分类号:H01L23/28

分类号:H01L23/28;H01L21/56;H01L23/50

优先权:["20180829 JP 2018-160370"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要:封装构造具备金属部件和树脂部件。上述金属部件具有朝向第一方向的一方的主面。上述树脂部件与上述主面的至少一部分相接配置。上述主面包括粗糙化区域。在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽,该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷,且表面比上述主面粗糙。上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸,且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上排列。上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个。

主权项:1.一种半导体装置,其具备:第一开关元件,其具有第一电极、第二电极以及控制电极,且根据向上述控制电极输入的信号进行上述第一电极与上述第二电极之间的开关动作;金属部件,其分别与上述第一开关元件的上述第一电极及上述第二电极分别电导通而成为第一端子及第二端子,且具有朝向第一方向的一方的主面;以及树脂部件,其与上述主面的至少一部分相接,且覆盖上述第一开关元件、上述第一端子的一部分以及上述第二端子的一部分,上述半导体装置的特征在于,在上述第一端子及上述第二端子的沿着密封树脂的周边部的区域的上述主面设有粗糙化区域,在上述粗糙化区域形成有多个第一线状槽,该多个第一线状槽的每一个从上述主面凹陷,且表面比上述主面粗糙,上述多个第一线状槽分别沿与上述第一方向正交的第二方向延伸,且在与上述第一方向及上述第二方向正交的第三方向上以预定的间距尺寸排列,上述树脂部件填充于上述多个第一线状槽的每一个,在上述粗糙化区域还形成有多个第二线状槽,该多个第二线状槽的每一个的表面比上述主面粗糙,上述多个第二线状槽分别沿上述第三方向延伸,且在上述第二方向上以预定的间距尺寸排列,沿上述第一方向观察,上述多个第一线状槽每一个和上述多个第二线状槽的每一个交叉,上述粗糙化区域包括交叉底面和非交叉底面,沿上述第一方向观察,上述交叉底面与上述第一线状槽及上述第二线状槽双方重叠,沿上述第一方向观察,上述非交叉底面仅与上述第一线状槽及上述第二线状槽的任一方重叠,上述交叉底面比上述非交叉底面在上述第一方向上从上述主面分离得更远。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 罗姆股份有限公司 封装构造、半导体装置以及封装构造的形成方法

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