申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司

申请日：2020-12-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114660721B

主分类号：G02B6/14

分类号：G02B6/14;G02B6/122;G02B6/26;G02B6/136;G02B6/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要：本发明公开了用于光波导和单模光纤端面耦合的硅基光电子芯片封装结构及其形成方法。所述封装结构包括所述硅基光电子芯片的封装侧壁和位于埋氧层的波导端面倒锥结构，所述封装侧壁包括倾斜耦合端面和与其连接的台阶型侧壁，所述台阶型侧壁位于所述倾斜耦合端面的向下延伸面下方，所述台阶型侧壁包括依次相连的上垂直侧壁面、台阶平面和下垂直侧壁面，所述波导端面倒锥结构通过倾斜耦合端面与单模光纤实现端面耦合。这样可以在无需对下方台阶进行端面磨抛的情况下使用带有斜面封装头的单模光纤无阻挡的靠近波导端面倒锥结构的封装面实现高效率的耦合封装。

主权项：1.一种用于光波导和单模光纤端面耦合的硅基光电子芯片封装结构，其特征在于：该结构包括所述硅基光电子芯片的封装侧壁和位于埋氧层上表面的波导端面倒锥结构，所述封装侧壁包括倾斜耦合端面和与其相连的台阶型侧壁，所述台阶型侧壁位于所述倾斜耦合端面的向下延伸面下方，所述台阶型侧壁包括自上而下依次相连的上垂直侧壁面、台阶平面和下垂直侧壁面，所述波导端面倒锥结构通过所述倾斜耦合端面与单模光纤实现端面耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 硅基光电子芯片端面耦合封装结构及其形成方法

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