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【发明授权】氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法_OCI有限公司_202010553522.X 

申请/专利权人:OCI有限公司

申请日:2020-06-17

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN112210378B

主分类号:C09K13/06

分类号:C09K13/06

优先权:["20190712 KR 10-2019-0084195"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2022.07.15#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要:本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法,更详细地,提供一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法,即,在氮化硅膜蚀刻溶液中,由化学式1表示的反式trans结构的化合物在蚀刻条件下增加与氧化硅膜的结合,从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻速度。

主权项:1.一种氮化硅膜蚀刻溶液,其特征在于,包含:磷酸水溶液;以及添加剂,其中,上述添加剂包含由下述化学式1表示的反式化合物及化学式1’表示的顺式化合物,化学式1:化学式1’:在上述化学式1和化学式1’中,X1至X3分别独立地选自羟基,R1至R3分别独立地选自氢、C1-C20烷基、C6-C12环烷基、至少包含一个杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基以及卤素,上述添加剂中由上述化学式1表示的反式化合物的含量为50%以上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: OCI有限公司 氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法

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