申请/专利权人：浙江研煌科技有限公司

申请日：2023-09-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220798231U

主分类号：H03H1/00

分类号：H03H1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型公开了基于硅基异质集成工艺的立体LC射频滤波器，通过硅基异质集成工艺实现的高密度TSV通孔与窄间距的RDL布线层实现高感值的立体电感线圈，结合TSV孔铜填充与厚RDL布线层实现电感线圈的内阻降低，提高了电感Q值并减小了体积。利用硅基异质集成工艺的纳米级加工精度，可实现LC无源滤波器的频率精确控制，有利于在高性能毫米波系统中的应用。本申请的基于硅基异质集成工艺的立体LC射频滤波器可在更小体积内实现更高性能LC无源滤波器结构，有利于高性能射频系统的进一步小型化。

主权项：1.基于硅基异质集成工艺的立体LC射频滤波器，其特征在于：包括使用基于硅基高密度TSV加工的第一级高Q值LC滤波器、接地立体电容C3、第二级高Q值LC滤波器，形成三个传输零点的低通滤波器结构；所述第一级高Q值LC滤波器和第二级高Q值LC滤波器均为高Q值LC滤波器结构；所述高Q值LC滤波器结构由硅基异质集成工艺加工形成，包括高Q值立体电感线圈L1、L2与RDL布线层之间和同层RDL布线层的走线之间形成的电容C1、C2。

全文数据：

权利要求：

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