申请/专利权人：深圳市联洲国际技术有限公司

申请日：2021-12-01

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN114397833B

主分类号：G05B19/042

分类号：G05B19/042

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种负载自适应的可控硅电路及控制方法，所述方法，包括：基于MCU在一个信号周期内对可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取采样数据集；所述MCU对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数；所述MCU基于所述系数，计算获得多个判断参数；所述MCU基于多个所述判断参数，确定负载的类型；所述MCU基于所述负载的类型，确定斩波深度。本发明的技术方案，在接入任意负载的形况下都可以根据可控硅的工作特征判断出负载类型，并根据不同的判断结果，自适应地控制斩波深度。

主权项：1.一种负载自适应的可控硅电路控制方法，其特征在于，包括：基于MCU在一个信号周期内对可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取采样数据集；所述MCU对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数；所述MCU基于所述系数，计算获得多个判断参数；所述MCU基于多个所述判断参数，确定负载的类型；所述MCU基于所述负载的类型，确定斩波深度；其中，所述MCU对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数，包括：所述MCU获取所述采样数据集的函数表达式xn；所述采样数据集包括N个采样数据；其中，0≤n≤N-1，N＝2M,M为正整数；基于所述函数表达式xn，获取所述系数的函数表达式ak；其中，0≤k≤N-1；所述方法还包括：所述MCU基于所述系数，获得相位特征量的函数表达式；所述MCU基于所述系数，计算获得多个判断参数，包括：基于所述MCU在一个信号周期内分别对所述可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取第一采样数据集以及第二采样数据集，所述MCU基于所述相位特征量的函数表达式对所述第一采样数据进行处理，获取第一相位特征量，基于所述相位特征量的函数表达式对所述第二采样数据进行处理，获取第二相位特征量，基于所述第一相位特征量以及第二相位特征量，获取第一判断参数，以及，基于所述系数获取第二判断参数，基于所述第一判断参数，获取第三判断参数；所述MCU基于所述负载的类型，确定斩波深度，包括：所述MCU基于所述第一判断参数、第二判断参数以及第三判断参数，确定所述负载的类型。

全文数据：

权利要求：

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