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最新专利技术
  • 发光二极管面板
    发光二极管面板_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202311506678.2
    本申请实施例公开了一种发光二极管面板，其包括驱动基板、反光层和发光二极管。本申请实施例的发光二极管面板在发光二极管的下方设置具有介质层和设置在介质层的开口内的反射部的反光层，以反射发光二极管向下发出的光线，从而提高发光二极管的发光亮度，另外...
    2025-06-25
  • 一种半导体外延片及其制备方法
    一种半导体外延片及其制备方法_江苏第三代半导体研究院有限公司_202311495854.7
    本申请公开了一种半导体外延片及其制备方法，半导体外延片包括：基底、第一掩膜结构层、第一氮化物层、第二掩膜结构层和第二氮化物层。第一掩膜结构层设置在基底上并暴露出基底的部分表面；第一氮化物层设置在基底暴露的表面上，第一氮化物层的顶面高于第一掩...
    2025-06-25
  • 一种薄膜晶体管、其驱动方法、像素驱动电路及显示装置
    一种薄膜晶体管、其驱动方法、像素驱动电路及显示装置_北京京东方技术开发有限公司_202311495458.4
    本发明提供了一种薄膜晶体管、其驱动方法、像素驱动电路及显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：衬底；有源层，位于所述衬底上；所述有源层包括PIN结，沿平行于所述衬底的平面方向，所述PIN结包括依次设置的P区、本征区和N区；所述P区掺杂的离子的种...
    2025-06-25
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311496113.0
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在锗硅源漏上形成富含用于抑制钴、锗、硅扩散的杂质离子的硅盖帽层，该硅盖帽层不仅可以和后续沉积的钴反应形成钴硅化物，而且还能作为阻挡隔离层，其中这些杂质离子能够阻挡钴、锗、硅三种原子之间扩散的通道，进而可以...
    2025-06-25
  • 铁电场效应晶体管、存储阵列及方法、存储器及电子设备
    铁电场效应晶体管、存储阵列及方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202311503397.1
    本申请提供一种铁电场效应晶体管、存储阵列及方法、存储器及电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低铁电场效应晶体管的漏电流。FeFET为双栅型晶体管。铁电场效应晶体管包括衬底和设置在衬底上的第一绝缘介质层、第一导电材料层、第二绝缘介质层、铁电材...
    2025-06-25
  • 电动泵的制造方法及电动泵
    电动泵的制造方法及电动泵_浙江三花汽车零部件有限公司_202311495238.1
    本申请公开一种电动泵的制造方法包括：组装连接板组件与定子绕组，使得连接板组件与定子绕组电连接，定义连接板组件和定子绕组组合在一起的组件为第一部件；制备电机组件：至少以第一部件、轴为嵌件注塑形成电机外壳。通过这样的方式，可以减少一些单独的零部...
    2025-06-25
  • 一种乳品热处理过程优化处理方法及装置
    一种乳品热处理过程优化处理方法及装置_蒙牛高科乳制品(北京)有限责任公司_202311493212.3
    本发明提供一种乳品热处理过程优化处理方法及装置。该方法包括：根据预先确定的与乳品热处理加工过程关联的多个变量因素对应的区间数值对不同工艺参数进行组合，获得初始的工艺参数组合；基于预设的热处理模型对所述初始的工艺参数组合进行预测分析，获得所述...
    2025-06-25
  • 缺陷信息处理方法、装置及存储介质
    缺陷信息处理方法、装置及存储介质_北京小米移动软件有限公司_202311498736.1
    本公开是关于一种缺陷信息处理方法、装置及存储介质。其中，一种缺陷信息处理方法，包括：调用第一模型，所述第一模型用于对流程管理中的各子流程进行缺陷管理，所述流程管理中包括一个或多个子流程；基于所述第一模型获取流程管理中的缺陷信息，并基于所述缺...
    2025-06-25
  • 一种电力知识图谱问答方法及系统
    一种电力知识图谱问答方法及系统_许昌许继软件技术有限公司_202311497145.2
    本发明涉及一种电力知识图谱问答方法及系统，属于知识图谱技术领域。本发明首先获取需要进行回答的电力知识问句，并进行预处理，然后基于预处理后的电力知识问句和知识图谱中候选知识集合采用字符串匹配技术对候选知识集合进行筛选，最后将预处理后的电力知识...
    2025-06-25
  • 一种智能合约的调试方法、装置、服务器及存储介质
    一种智能合约的调试方法、装置、服务器及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202311499631.8
    本申请公开了一种智能合约的调试方法、装置、服务器及存储介质，适于区块链及云场景下的业务开发。方法如下：响应于合约调试请求，调用目标容器组中的业务容器，从合约调试请求中获取智能合约的合约描述信息，智能合约存储在共享数据库，且共享数据库为目标容...
    2025-06-25
  • 氮化物半导体外延片及其制备工艺
    氮化物半导体外延片及其制备工艺_江苏第三代半导体研究院有限公司_202311498719.8
    本申请公开了氮化物半导体外延片及其制备工艺，氮化物半导体外延片包括：基底、成核层、氮化物粗化层、氮化物结构层；成核层设置在基底上并具有多个成核中心，氮化物粗化层设置在成核中心的表面上并覆盖基底的至少部分表面，氮化物粗化层包括周期性循环形成的...
    2025-06-25
  • 恒定自然杀伤T细胞族群扩增方法及其应用
    恒定自然杀伤T细胞族群扩增方法及其应用_长春藤生物科技股份有限公司_202311489296.3
    本发明关于一种恒定自然杀伤T细胞(invariant natural killer T,iNKT)族群扩增方法及其应用，其包含：提供一周边血干细胞样本；将所述周边血干细胞样本以一扩增培养基进行培养，所述扩增培养基包含白细胞介素2、白细胞介素...
    2025-06-25
  • 聚乙烯组合物、聚乙烯制品及其制备方法
    聚乙烯组合物、聚乙烯制品及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202311495644.8
    本发明涉及化工原料制备技术领域，公开一种聚乙烯组合物、聚乙烯制品及其制备方法。该组合物包括：线性低密度聚乙烯95‑99.5重量份；超高分子量聚乙烯0.4‑1.2重量份；增塑剂0.6‑1.8重量份；抗氧剂0.5‑1重量份；无机盐和/或金属氧化...
    2025-06-25
  • 具有良好力学性能的聚乙烯和乙烯-乙烯醇共聚物组合物及其应用
    具有良好力学性能的聚乙烯和乙烯-乙烯醇共聚物组合物及其应用_中国石油化工股份有限公司_202311501870.2
    本发明属于聚合物技术领域，具体地，涉及一种良好力学性能的聚乙烯和乙烯‑乙烯醇共聚物组合物及其制备方法和应用。所述聚乙烯和乙烯‑乙烯醇共聚物组合物包括聚乙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物和马来酸酐接枝乙烯基弹性体；所述的马来酸酐接枝乙烯基弹性体中的乙烯...
    2025-06-25
  • 光检测器、其制造方法以及电子设备
    光检测器、其制造方法以及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202380070441.6
    提供了能够防止接合的半导体基板之间的布线的传导性变差的光检测器。光检测器包括第一半导体基板、第二半导体基板、第三半导体基板和沿厚度方向延伸的第一导体，其中，第一半导体基板包括设置有光电转换元件的第一半导体层和堆叠在第一半导体层的与光入射面相...
    2025-06-25
  • 修饰基板的制造方法、半导体器件的制造方法
    修饰基板的制造方法、半导体器件的制造方法_富士胶片株式会社_202380071927.1
    本发明提供一种修饰基板的制造方法及与上述修饰基板的制造方法相关的半导体器件的制造方法，该修饰基板的制造方法能够通过进行ALD处理来制造在规定的区域选择性良好地形成有ALD覆膜的修饰基板。本发明的修饰基板的制造方法包括：工序1，使基板与药液接...
    2025-06-25
  • 显示芯片及制作方法
    显示芯片及制作方法_北京字跳网络技术有限公司_202311506815.2
    本申请公开了一种显示芯片及制作方法，属于半导体技术领域。所述显示芯片包括：芯片结构，包括依次设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层；其中，所述第一半导体...
    2025-06-25
  • 一种单晶电池背面掺杂层的制备方法及其应用
    一种单晶电池背面掺杂层的制备方法及其应用_横店集团东磁股份有限公司_202311502759.5
    本发明提供了一种单晶电池背面掺杂层的制备方法及其应用。所述制备方法包括：在单晶层电池背面依次进行预通气、制备第一沉积层、制备第二沉积层、制备第三沉积层和制备第四沉积层，完成单晶电池背面掺杂层的制备，其中，第一沉积层中SiH4
    2025-06-25
  • 嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法
    嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311504815.9
    本发明提供一种嵌入式源/漏极MOS管及其制备方法，通过在栅极侧墙中设置内、外侧墙结构，基于内侧墙结构实现LDD及halo区的离子注入，通过外侧墙结构实现源/漏极的离子注入，且在外侧墙结构中设置一层介电常数最小的空气侧墙，以降低栅极侧墙的等效...
    2025-06-25
  • 区块链节点的状态检测方法及装置、电子设备、存储介质
    区块链节点的状态检测方法及装置、电子设备、存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202311517495.0
    本申请的实施例揭示了一种区块链节点的状态检测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：根据区块链网络中各区块链节点的特征参数，选取至少一个区块链节点作为状态检测节点，其中，所述特征参数用于表征所述区块链节点的性能稳定性；通过所述状态检测节点向...
    2025-06-25
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