申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-04-09

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896669A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20181218 CN 2018115476907"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.26#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：公开了三维3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件，包括：衬底；在所述衬底上方的第一单晶硅层；在所述第一单晶硅层上方的第一存储器堆叠体；垂直地延伸通过所述第一存储器堆叠体的第一沟道结构；以及在所述第一存储器堆叠体上方的第一互连层。所述第一存储器堆叠体包括第一多个交错的导体层和电介质层。所述第一沟道结构包括延伸到所述第一单晶硅层中并且包括单晶硅的第一下插塞。所述第一互连层包括被电连接到所述第一沟道结构的第一位线。

主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；在所述衬底上方的第一单晶硅层；在所述第一单晶硅层上方的包括第一多个交错的导体层和电介质层的第一存储器堆叠体；垂直地延伸通过所述第一存储器堆叠体的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括延伸到所述第一单晶硅层中并且包括单晶硅的第一下插塞；以及在所述第一存储器堆叠体上方并且包括被电连接到所述第一沟道结构的第一位线的第一互连层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 多堆叠三维存储器件以及其形成方法

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